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GA1206A681JBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 10:28:15 查看 閱讀:5

GA1206A681JBCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高效率、低功耗應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適合應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各類工業(yè)控制領(lǐng)域。
  該型號(hào)屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET,能夠提供出色的電流承載能力和穩(wěn)定性,同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁干擾能力。

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  額定電壓:60V
  額定電流:120A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,25℃)
  柵極電荷:95nC(最大值)
  開(kāi)關(guān)速度:快速開(kāi)關(guān)
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:D2PAK

特性

GA1206A681JBCBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)性能,適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
  3. 較高的電流承載能力,確保在大負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
  5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,增強(qiáng)了器件的可靠性和耐用性。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

這款功率MOSFET廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)元件,用于實(shí)現(xiàn)高效的速度與扭矩控制。
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換及功率管理模塊。
  4. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的動(dòng)力系統(tǒng)中,用于電池管理及逆變器控制。
  5. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源相關(guān)設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換部分。

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP120N06LL
  FDP150AN6S
  IXFN120N06T2

ga1206a681jbcbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-