GA1206A681JBCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高效率、低功耗應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適合應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各類工業(yè)控制領(lǐng)域。
該型號(hào)屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET,能夠提供出色的電流承載能力和穩(wěn)定性,同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁干擾能力。
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓:60V
額定電流:120A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,25℃)
柵極電荷:95nC(最大值)
開(kāi)關(guān)速度:快速開(kāi)關(guān)
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:D2PAK
GA1206A681JBCBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)性能,適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
3. 較高的電流承載能力,確保在大負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,增強(qiáng)了器件的可靠性和耐用性。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保設(shè)計(jì)。
這款功率MOSFET廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)元件,用于實(shí)現(xiàn)高效的速度與扭矩控制。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換及功率管理模塊。
4. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的動(dòng)力系統(tǒng)中,用于電池管理及逆變器控制。
5. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源相關(guān)設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換部分。
IRFZ44N
STP120N06LL
FDP150AN6S
IXFN120N06T2