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GA1206A680JBEBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 10:05:53 查看 閱讀�14

GA1206A680JBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等場�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠顯著降低能耗并提升系統(tǒng)的整體性能�
  此器件為 N 溝道增強� MOSFET,適合高頻應(yīng)用場�,同時具備快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷,從而優(yōu)化了動態(tài)性能�

參數(shù)

型號:GA1206A680JBEBR31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  額定電壓(Vds)�60V
  額定電流(Id)�70A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�45nC
  總柵極電�(Qg,total)�60nC
  輸入電容(Ciss)�1200pF
  輸出電容(Coss)�95pF
  反向傳輸電容(Crss)�15pF
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A680JBEBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 僅為 2.5mΩ,可顯著減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,得益于其較低的柵極電荷� (Qg = 45nC),特別適用于高頻�(yīng)��
  3. 高額定電� Id �(dá)� 70A,支持大功率�(fù)載需��
  4. 寬泛的工作溫度范� (-55� � +175�),確保在極端�(huán)境下的可靠運��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中�
  6. 封裝� TO-247,散熱性能�(yōu)�,適合高功率密度�(shè)計�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和適配器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,如降壓或升壓電��
  3. 電機�(qū)動和控制,特別是電動汽車和工�(yè)自動化中的大功率電機�
  4. 充電器模�,用于筆記本電腦、手機以及其他便攜式�(shè)��
  5. 太陽能逆變器和其他能源管理系統(tǒng)�
  6. 高效照明�(qū)動器,例� LED 照明�

替代型號

GA1206A680JBE, IRF840, FDP150N10SBD

ga1206a680jbebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容68 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-