GA1206A680JBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等場�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠顯著降低能耗并提升系統(tǒng)的整體性能�
此器件為 N 溝道增強� MOSFET,適合高頻應(yīng)用場�,同時具備快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷,從而優(yōu)化了動態(tài)性能�
型號:GA1206A680JBEBR31G
類型:N溝道增強型MOSFET
額定電壓(Vds)�60V
額定電流(Id)�70A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
總柵極電�(Qg,total)�60nC
輸入電容(Ciss)�1200pF
輸出電容(Coss)�95pF
反向傳輸電容(Crss)�15pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
GA1206A680JBEBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 僅為 2.5mΩ,可顯著減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,得益于其較低的柵極電荷� (Qg = 45nC),特別適用于高頻�(yīng)��
3. 高額定電� Id �(dá)� 70A,支持大功率�(fù)載需��
4. 寬泛的工作溫度范� (-55� � +175�),確保在極端�(huán)境下的可靠運��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中�
6. 封裝� TO-247,散熱性能�(yōu)�,適合高功率密度�(shè)計�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和適配器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,如降壓或升壓電��
3. 電機�(qū)動和控制,特別是電動汽車和工�(yè)自動化中的大功率電機�
4. 充電器模�,用于筆記本電腦、手機以及其他便攜式�(shè)��
5. 太陽能逆變器和其他能源管理系統(tǒng)�
6. 高效照明�(qū)動器,例� LED 照明�
GA1206A680JBE, IRF840, FDP150N10SBD