GA1206A680FXEBP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應用領(lǐng)域。該器件采用先進的溝槽式 MOSFET 技術(shù)制造,具有低導通電阻和快速開關(guān)特性,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
此型號是為高電流和高頻應用場景設(shè)計的,廣泛應用于工業(yè)控制、消費電子和汽車電子等領(lǐng)域。
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓:60V
額定電流:80A
導通電阻:3.5mΩ
柵極電荷:75nC
最大工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247
GA1206A680FXEBP31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(3.5mΩ),有助于減少傳導損耗。
2. 快速開關(guān)性能,適合高頻應用環(huán)境。
3. 高電流處理能力(80A),確保在大負載條件下的穩(wěn)定性。
4. 采用 TO-247 封裝,具備良好的散熱性能。
5. 寬溫度范圍(-55℃ 至 +175℃),適用于惡劣的工作環(huán)境。
6. 內(nèi)部集成 ESD 保護電路,提高器件的可靠性。
7. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保。
該芯片廣泛應用于以下場景:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機驅(qū)動和逆變器控制。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理。
4. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉(zhuǎn)向 (EPS) 和混合動力汽車 (HEV) 控制。
5. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用領(lǐng)域。
GA1206A680FXECP31G, IRF840, STP80NF06L