時間�2025/5/16 17:04:15
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GA1206A5R6DXABP31G 是一款基于氮化鎵（GaN）技術的高效率功率晶體管，適用于高頻和高功率密度的應用場�。該器件采用了先進的封裝技�，能夠提供卓越的熱性能和電氣性能。其設計旨在滿足現代電源轉換系統(tǒng)對更高效�、更小尺寸和更低開關損耗的需��
型號：GA1206A5R6DXABP31G
類型：GaN 功率晶體�
額定電壓�650V
額定電流�12A
導通電阻：4.5mΩ（典型值）
最大柵極驅動電壓：6V
最小柵極驅動電壓：4V
開關頻率范圍：高� 5MHz
封裝形式：DFN8
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A5R6DXABP31G 的主要特性包括低導通電�、快速開關速度以及出色的熱性能�
1. 低導通電阻確保了在高電流應用中的低功耗，從而提高了整體系統(tǒng)效率�
2. 快速開關速度支持高頻操作，使設計師能夠使用更小的磁性元�，進一步縮小系�(tǒng)的尺寸和重量�
3. 先進的封裝設計提供了良好的散熱能力，能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運行�
4. 內置保護功能，如過流保護和短路保�，增強了器件的可靠性和安全��
該芯片廣泛應用于各種高效率電源轉換場景，例如�
1. 開關電源 (SMPS)�
2. 電動車車載充電器 (OBC)�
3. 數據中心服務器電��
4. USB-PD 快速充電器�
5. 能量存儲系統(tǒng) (ESS) 中的 DC/DC � DC/AC 轉換��
6. 無線充電設備�
由于其高頻特性和高效性能，它特別適合需要小型化和高性能的電力電子應��
GAN063-650WSA
GAN064-650WSAQ
TP65H150G4LSG
