GA1206A5R6BXLBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、低損耗的開關(guān)�(yīng)用設(shè)�。該芯片采用了先進的制造工�,能夠提供出色的�(dǎo)通電阻和開關(guān)性能,適用于各種電源管理場景�
這款功率 MOSF�、電機驅(qū)�、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用中。其封裝形式和電氣特性使其成為許多工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品的理想選擇�
類型:N溝道增強� MOSFET
漏源極電�(Vds)�120V
連續(xù)漏極電流(Id)�6.8A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.38Ω(典型值,25℃)
柵極閾值電�(Vgs(th))�2.4V
最大功�(Ptot)�16W
�(jié)溫范�(Tj)�-55� � +175�
封裝形式:TO-277A
GA1206A5R6BXLBP31G 的主要特點是其卓越的電氣性能和可靠�。以下是該芯片的一些關(guān)鍵特性:
1. 低導(dǎo)通電阻:該器件具有較低的 Rds(on),可有效降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力:由于其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,該芯片能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)操作,適合高頻應(yīng)��
3. 強大的散熱性能:采� TO-277A 封裝,具有良好的熱傳�(dǎo)�,有助于提高長期運行的穩(wěn)定性�
4. 寬工作溫度范圍:支持� -55� � +175� 的結(jié)溫范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境下的應(yīng)��
5. �(wěn)定的電氣特性:即使在極端條件下,該芯片也能保持�(wěn)定的性能輸出�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 各類電機�(qū)�,如步進電機和無刷直流電機控制�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS) 中的充放電控制�
5. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理單��
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)的功率轉(zhuǎn)換設(shè)��
GA1206A5R6BXLBP29G
IRFZ44N
FQP50N06L