時間：2025/5/22 20:59:54
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GA1206A5R6BBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要應(yīng)用于高效率、低損耗的開關(guān)電源和電機驅(qū)動領(lǐng)域。該器件采用了先進的溝槽式 MOSFET 技術(shù)，具備較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的開關(guān)特性。其封裝形式為 TO-247，適合大功率應(yīng)用場景。
型號：GA1206A5R6BBEBR31G
類型：N-Channel Power MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：650V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：12A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.06Ω（典型值，Vgs=10V時）
總功耗(Ptot)：150W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
封裝形式：TO-247
GA1206A5R6BBEBR31G 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗。
3. 高雪崩能量能力，增強器件在異常條件下的魯棒性。
4. 內(nèi)置 ESD 保護功能，提升芯片在實際應(yīng)用中的可靠性。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
6. 可靠的熱性能設(shè)計，確保在高溫環(huán)境下仍能穩(wěn)定運行。
這些特性使得 GA1206A5R6BBEBR31G 成為高效電源轉(zhuǎn)換和電機控制的理想選擇。
GA1206A5R6BBEBR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源(SMPS) 中的主開關(guān)管。
2. 逆變器和不間斷電源(UPS) 的功率輸出級。
3. 電機驅(qū)動和工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制。
4. 太陽能微逆變器和其他新能源相關(guān)產(chǎn)品。
5. 各類高電壓、大電流負載的開關(guān)控制。
由于其優(yōu)異的性能和可靠性，這款 MOSFET 在工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)用。
IRFP250N, STP12NK65Z
