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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A562KBBBR31G

GA1206A562KBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 21:13:55 查看 閱讀�14

GA1206A562KBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高耐壓和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET 系列,其封裝形式� TO-247,適用于高功率密度的�(shè)�(jì)需求。通過(guò)�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)和材料選�,這款芯片能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗和�(yōu)異的熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:0.05Ω
  柵極電荷�80nC
  總電容:1200pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1206A562KBBBR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高擊穿電壓:確保在高壓應(yīng)用環(huán)境下的穩(wěn)定性和安全��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力:降低開(kāi)�(guān)損�,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)景�
  4. �(yōu)秀的熱性能:采用高效的散熱�(shè)�(jì),支持長(zhǎng)�(shí)間高功率�(yùn)��
  5. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試流�,滿足工�(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用需��
  6. 抗雪崩能力:可承受短�(shí)間的�(guò)載或反向恢復(fù)電流沖擊�
  這些特性使得該芯片成為許多高要求電子設(shè)備的理想選擇�

�(yīng)�

GA1206A562KBBBR31G 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS):作為主�(kāi)�(guān)器件,提供高效穩(wěn)定的能量�(zhuǎn)換�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流無(wú)刷電�(jī)或其他類(lèi)型電�(jī)的啟�(dòng)、停止和�(diào)��
  3. 逆變器:用于太陽(yáng)能逆變器和其他�(lèi)型的電力�(zhuǎn)換設(shè)��
  4. 電池管理系統(tǒng):實(shí)�(xiàn)電池充放電保�(hù)和均衡功能�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如伺服驅(qū)�(dòng)�、PLC 和其他工�(yè)控制裝置�
  6. 汽車(chē)電子:包括電�(dòng)�(chē)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)、車(chē)載充電器和照明系�(tǒng)等�
  其強(qiáng)大的性能使其能夠勝任多種�(fù)雜的工作條件�

替代型號(hào)

IRFP460, FDP18N65C3, STW96N65M5

ga1206a562kbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-