GA1206A562KBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高耐壓和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET 系列,其封裝形式� TO-247,適用于高功率密度的�(shè)�(jì)需求。通過(guò)�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)和材料選�,這款芯片能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗和�(yōu)異的熱性能�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:0.05Ω
柵極電荷�80nC
總電容:1200pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A562KBBBR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高擊穿電壓:確保在高壓應(yīng)用環(huán)境下的穩(wěn)定性和安全��
2. 極低的導(dǎo)通電阻:減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)能力:降低開(kāi)�(guān)損�,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)景�
4. �(yōu)秀的熱性能:采用高效的散熱�(shè)�(jì),支持長(zhǎng)�(shí)間高功率�(yùn)��
5. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試流�,滿足工�(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用需��
6. 抗雪崩能力:可承受短�(shí)間的�(guò)載或反向恢復(fù)電流沖擊�
這些特性使得該芯片成為許多高要求電子設(shè)備的理想選擇�
GA1206A562KBBBR31G 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS):作為主�(kāi)�(guān)器件,提供高效穩(wěn)定的能量�(zhuǎn)換�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流無(wú)刷電�(jī)或其他類(lèi)型電�(jī)的啟�(dòng)、停止和�(diào)��
3. 逆變器:用于太陽(yáng)能逆變器和其他�(lèi)型的電力�(zhuǎn)換設(shè)��
4. 電池管理系統(tǒng):實(shí)�(xiàn)電池充放電保�(hù)和均衡功能�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如伺服驅(qū)�(dòng)�、PLC 和其他工�(yè)控制裝置�
6. 汽車(chē)電子:包括電�(dòng)�(chē)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)、車(chē)載充電器和照明系�(tǒng)等�
其強(qiáng)大的性能使其能夠勝任多種�(fù)雜的工作條件�
IRFP460, FDP18N65C3, STW96N65M5