類(lèi)型：增強(qiáng)型MOSFET
　　材料：GaN（氮化鎵）
　　最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：20A
　　導(dǎo)通電阻：40mΩ
　　柵極驅(qū)動(dòng)電壓：6V/10V
　　開(kāi)關(guān)頻率：高達(dá)5MHz
　　封裝形式：TO-247
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃

1. 高效的氮化鎵技術(shù)提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和導(dǎo)通效率。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損耗。
　　3. 支持高頻操作，適合高頻開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
　　4. 優(yōu)秀的熱管理能力確保長(zhǎng)期可靠性。
　　5. 具備較高的抗靜電能力和穩(wěn)定性，適用于惡劣環(huán)境。
　　6. 內(nèi)置保護(hù)功能，如過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)，提高了系統(tǒng)安全性。
　　7. 小巧的封裝設(shè)計(jì)有助于提高功率密度，滿(mǎn)足現(xiàn)代電子產(chǎn)品小型化需求。

1. 高頻開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中的主開(kāi)關(guān)元件。
　　2. 工業(yè)級(jí) DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率器件。
　　3. 電動(dòng)汽車(chē)充電樁中的功率模塊。
　　4. 太陽(yáng)能逆變器中的高頻開(kāi)關(guān)組件。
　　5. 通信電源和服務(wù)器電源中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方案。
　　6. 各類(lèi)消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的快速充電適配器。
　　7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單元。

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