GA1206A561KBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器以及其他需要高效功率管理的場景。該芯片采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
此型號屬于溝道增強型器件,支持高頻開關應用,并且其封裝設計優(yōu)化了散熱特�,非常適合對功率密度要求較高的場��
類型:N溝道 MOSFET
額定電壓�60V
額定電流�56A
導通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷(典型值)�85nC
連續(xù)漏極電流�56A
最大功耗:174W
結溫范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247-3
GA1206A561KBCBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有效降低傳導損�,提高整體效��
2. 高速開關能�,適合高頻應用環(huán)��
3. 出色的熱�(wěn)定�,確保在極端溫度條件下仍能保持良好的性能�
4. 具備強大的過流保護和短路耐受能力,增強了器件的魯棒性�
5. 封裝設計緊湊且易于安�,同時提供高效的散熱路徑�
這些特點使得該器件成為現(xiàn)代電力電子設備中的理想選擇�
這款功率MOSFET適用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中作為主開關元��
2. 電動工具及家用電器中的電機驅動電路�
3. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的負載切換控制�
4. 新能源技術領域,如太陽能逆變器和電動車牽引逆變��
5. 各種需要高效功率傳輸與控制的應用場景�
GA1206A561KBCBR29G, IRF540N, FDP5600