時間：2025/5/23 10:26:52
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GA1206A561GXABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要應用于電源管理、電機驅(qū)動以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。該器件采用先進的半導體制造工藝，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點，能夠在高頻工作條件下提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
型號：GA1206A561GXABR31G
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vdss)：60V
最大連續(xù)漏極電流(Id)：120A
導通電阻(Rds(on))：1.2mΩ
柵極電荷(Qg)：80nC
總電容(Ciss)：3240pF
功耗(PD)：140W
封裝形式：TO-247
GA1206A561GXABR31G 具有以下顯著特點：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，能夠有效降低導通損耗。
2. 高速開關(guān)性能，適合高頻應用。
3. 大電流處理能力，支持高達 120A 的連續(xù)漏極電流。
4. 出色的熱穩(wěn)定性，確保在高功率負載下的可靠運行。
5. 提供 TO-247 封裝形式，便于安裝與散熱設(shè)計。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且無鉛。
該芯片適用于廣泛的功率電子領(lǐng)域，包括但不限于以下應用場景：
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)動
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制
4. 新能源汽車中的逆變器模塊
5. LED 照明驅(qū)動電路
6. 不間斷電源（UPS）系統(tǒng)
其高效能表現(xiàn)使其成為上述應用的理想選擇。
IRFZ44N
STP120N06LL
FDP120N06L
