GA1206A561FBLBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝槽式場效應晶體管系列。該芯片廣泛應用于開關電�、電機驅�、DC-DC 轉換器以及其他需要高效能功率管理的電子設備中。它采用了先進的制造工�,確保了低導通電阻和快速開關性能,從而提高了整體效率并降低了能耗�
該型號為 N 溝道增強� MOSFET,具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠適應多種復雜的工作�(huán)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�48A
導通電阻:1.4mΩ
柵極電荷�97nC
輸入電容�2320pF
總電容:2650pF
開關速度:非常快
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A561FBLBT31G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),在 4.5V � 10V 柵極驅動電壓下分別為 1.4mΩ � 1.1mΩ,顯著減少了導通損耗�
2. 快速開關性能,具備低柵極電荷和輸出電�,有助于降低開關損耗�
3. 高雪崩能力,增強了器件在異常條件下的魯棒��
4. 小尺寸封�,節(jié)� PCB 空間,同時提供良好的散熱性能�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. �(yōu)化的 EMI 性能,減少電磁干擾對系統(tǒng)的影��
這些特性使� GA1206A561FBLBT31G 成為高效率功率轉換應用的理想選擇�
該芯片適用于以下應用場景�
1. 開關模式電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC 轉換器�
2. 工業(yè)電機驅動和控��
3. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率管理�
4. 電動車輛和混合動力汽車中的牽引逆變��
5. LED 照明驅動電路�
6. 各類負載開關和保護電��
其高效的功率管理和卓越的性能表現(xiàn)使其成為眾多高功率密度應用的核心組件�
GA1206A561FBLBT21G, IRF7729PbF, FDP057N06L