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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A561FBCBR31G

GA1206A561FBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 15:01:26 查看 閱讀�21

GA1206A561FBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率、高頻開(kāi)�(guān)電源以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,從而有效降低能量損耗并提高整體系統(tǒng)性能�
  其封裝形式為 TO-247,具有較高的散熱性能,適合大功率�(yīng)用場(chǎng)景。該器件在設(shè)�(jì)上注重可靠性和耐用�,能夠在�(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定的性能�

參數(shù)

型號(hào):GA1206A561FBCBR31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓:1200V
  最大連續(xù)漏電流:60A
  最大柵源電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻:0.04Ω(典型值)
  功耗:300W(最大值)
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A561FBCBR31G 的核心優(yōu)�(shì)在于其卓越的電氣特性和可靠性:
  1. 高耐壓能力:該器件的最大漏源電壓達(dá)� 1200V,適用于高壓�(yīng)用環(huán)境�
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型值為 0.04Ω,顯著降低了傳導(dǎo)損耗,提升了效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度:由于采用了先�(jìn)的制造工�,其�(kāi)�(guān)�(shí)間較短,有助于減少開(kāi)�(guān)損��
  4. 熱性能�(yōu)異:TO-247 封裝提供了良好的散熱性能,確保在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定��
  5. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -55� � +175� 的寬溫區(qū)操作,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條件�
  6. 高可靠性設(shè)�(jì):經(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量測(cè)�,確保長(zhǎng)期使用的�(wěn)定性和耐用��

�(yīng)�

GA1206A561FBCBR31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器,能�?qū)崿F(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換�
  2. 逆變器:用于太陽(yáng)能逆變器和其他類型的電力電子設(shè)�,提供可靠的功率控制�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于工業(yè)自動(dòng)化中的大功率電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)�
  4. UPS 不間斷電源:保障�(guān)鍵設(shè)備的持續(xù)�(yùn)��
  5. 充電器:如電�(dòng)汽車充電樁等需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

GA1206A561FBCBR29G, IRFP260N, STW83N120K5

ga1206a561fbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容560 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-