GA1206A560JBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等場�。該芯片采用了先進的溝槽式工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,從而能夠顯著降低功耗并提高效率�
這款芯片屬于 N 溝道增強� MOSFET,主要適用于高效�、高頻工作的�(yīng)用場��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�68A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�79nC
輸入電容�2200pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝形式:TO-247-3
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少�(dǎo)通損��
2. 快速的開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常情況下的耐受��
4. 具備強大的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持良好的性能�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
6. �(nèi)� ESD 保護機制,提高了�(chǎn)品的可靠性和耐用��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動電��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
4. 電動汽車及混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng) (BMS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
5. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動電��
6. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換組件�
IRFZ44N
FDP5800
STP60NF06L