GA1206A560FBCBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率�(zhuǎn)換的場合。該器件采用先進的溝槽式MOSFET技�(shù),能夠提供較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度�
這款MOSFET芯片具有出色的熱性能和電氣性能,能夠在高頻條件下保持高效率和穩(wěn)定性。其封裝形式為TO-220,便于散熱設(shè)計和安裝�
型號:GA1206A560FBCBT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�56A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ (典型�,在Vgs=10V�)
輸入電容(Ciss)�2050pF
開關(guān)時間:ton=9ns, toff=17ns
功�(PD)�180W (在TA=25℃時)
工作溫度范圍(Topm)�-55� � +175�
GA1206A560FBCBT31G 具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電�(Rds(on))確保了在高電流應(yīng)用中的高效率和低功��
2. 快速開�(guān)速度降低了開�(guān)損耗,適用于高頻開�(guān)電路�
3. 高電流處理能力使其非常適合大功率�(yīng)�,如工業(yè)電機控制和汽車電子系�(tǒng)�
4. 強大的熱性能允許其在高溫�(huán)境下�(wěn)定運行,適合惡劣的工作條��
5. TO-220封裝形式便于散熱�(shè)�,并且與多種PCB布局兼容�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對�(huán)保的要求�
該MOSFET芯片廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
2. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
4. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保護電��
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制和�(qū)動部分�
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP55N06L