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時(shí)間：2025/5/21 11:43:22
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GA1206A560FBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少發(fā)熱。此外，其封裝形式經(jīng)過優(yōu)化，適合高密度電路板設(shè)計(jì)，同時(shí)保證了良好的散熱性能。
該型號(hào)屬于溝道型 MOSFET，具有出色的電氣特性和可靠性，適用于工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)電子設(shè)備。
類型：N溝道 MOSFET
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
漏源電壓（Vds）：60V
柵極源極電壓（Vgs）：±20V
連續(xù)漏極電流（Id）：56A（在25°C環(huán)境溫度下）
功耗（Pd）：180W（在殼溫為25°C時(shí)）
柵極電荷（Qg）：79nC（典型值）
開關(guān)時(shí)間：開啟延遲時(shí)間 18ns，下降時(shí)間 15ns
工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C
封裝形式：TO-247-3L
GA1206A560FBCBR31G 具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流和電壓能力，支持大功率應(yīng)用。
3. 快速的開關(guān)速度，有助于減少開關(guān)損耗并提高高頻操作性能。
4. 良好的熱性能，確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 緊湊的封裝設(shè)計(jì)，適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
6. 出色的靜電防護(hù)能力和可靠性，延長使用壽命。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
該型號(hào)廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的逆變橋臂。
4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的負(fù)載開關(guān)。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理單元。
7. LED 驅(qū)動(dòng)器中的高效功率調(diào)節(jié)組件。
8. 各種需要高效功率切換的場(chǎng)景。
IRFP2907ALPBF, FDP5600N60BL, STW13DM60
