GA1206A560FBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,在降低�(dǎo)通電阻的同時(shí)提高了開(kāi)�(guān)速度和熱性能�
該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,具有低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)特性和高可靠性等�(yōu)�(shì),能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小尺寸的需��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�56A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�85nC
輸入電容�2040pF
典型閾值電壓:2.1V
工作溫度范圍�-55� to 150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)特�,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的耐用性�
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
5. 小型封裝,便� PCB 布局�(yōu)�,同�(shí)節(jié)省空間�
6. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行時(shí)性能的一致��
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)元件�
2. 各種工業(yè)及消�(fèi)�(lèi)電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
3. 高效�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�(shè)�(jì)�
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)的功率模��
5. 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混合動(dòng)力汽�(chē) (HEV) 的電池管理系�(tǒng) (BMS) 中的�(guān)鍵組件�
IRF540N, FDP5500, STP55NF06L