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時(shí)間：2025/5/20 12:32:47
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GA1206A4R7CBCBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，專為高頻開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它采用先進(jìn)的制造工藝，在低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度方面表現(xiàn)出色。該芯片廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載切換等領(lǐng)域。
其封裝形式緊湊，具有良好的散熱性能，能夠在高電流和高電壓條件下穩(wěn)定工作。此外，該器件還具有出色的抗靜電能力（ESD），從而提升了系統(tǒng)的可靠性。
型號(hào)：GA1206A4R7CBCBT31G
最大漏源電壓 VDS：60V
最大柵源電壓 VGS：±20V
連續(xù)漏極電流 ID：15A
導(dǎo)通電阻 RDS(on)：4.7mΩ（典型值）
總柵極電荷 Qg：35nC（典型值）
開關(guān)時(shí)間：t_on=11ns，t_off=19ns
封裝形式：TO-263（D2PAK）
1. 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on)，可有效降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用場合。
3. 高電流承載能力，支持高達(dá) 15A 的連續(xù)漏極電流。
4. 內(nèi)部集成防靜電保護(hù)電路，增強(qiáng)芯片的耐用性和可靠性。
5. 小型化封裝，便于在緊湊空間內(nèi)進(jìn)行布局設(shè)計(jì)。
6. 穩(wěn)定的電氣性能，適用于各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)。
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流功能。
4. 汽車電子領(lǐng)域中的負(fù)載切換和電池管理。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)放大與功率傳輸。
6. 各種需要高效功率管理的應(yīng)用場景。
IRF540N
STP16NF06L
FDP18N06Z
