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GA1206A472GXBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 19:10:52 查看 閱讀�18

GA1206A472GXBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),從而提高了系統(tǒng)的效率和可靠性�
  其封裝形式和電氣性能�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�(jì),能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求�

參數(shù)

型號(hào):GA1206A472GXBBR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源極電壓):120V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�47mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):65A
  Qg(柵極電荷)�68nC
  FOM(品�(zhì)因數(shù)):5.64
  Vgs(th)(閾值電壓)�3.5V
  Tj(工作結(jié)溫范圍)�-55� to +175�

特�

GA1206A472GXBBR31G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 良好的熱性能表現(xiàn),確保在高功率密度條件下�(wěn)定運(yùn)��
  4. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)器件在異常條件下的耐用��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
  6. 封裝緊湊,便于集成到各種空間受限的設(shè)�(jì)��
  這些特點(diǎn)使得該MOSFET非常適合用于需要高效率和高可靠性的�(yīng)用場��

�(yīng)�

該芯片適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
  2. 各種類型的電�(jī)�(qū)�(dòng)�,例如步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)��
  3. 光伏逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備�
  4. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力車中的電力管理系統(tǒng)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
  通過利用其低�(dǎo)通電阻和高耐壓特性,GA1206A472GXBBR31G能夠在上述應(yīng)用中�(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和精確的電流控��

替代型號(hào)

GA1206A472GXBBR31H, IRFZ44N, FDP5500

ga1206a472gxbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容4700 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-