GA1206A471JBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅動以及開關電源等領域。該芯片采用了先進的半導體制造工�,具有低導通電阻和高耐壓能力的特�,能夠在高頻工作條件下保持高效和�(wěn)定�
此器件屬� N 溝道增強� MOSFET,其封裝形式� TO-252(DPAK�,能夠有效散熱并支持表面貼裝技術(SMT�,便于自動化生產(chǎn)和集成設計�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
導通電阻:3.1mΩ
柵極電荷�28nC
開關速度:超高�
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-252(DPAK�
GA1206A471JBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(3.1mΩ�,可顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流(47A),適合大功率應用場��
3. 快速開關性能,適用于高頻開關電路�
4. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適應惡劣的工作�(huán)��
5. 小型化封裝(TO-252/DPAK�,方� PCB 布局和焊接�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
該芯片適用于以下應用場景�
1. 開關電源(SMPS)中的功率轉換級�
2. DC-DC 轉換器的核心功率開關元件�
3. 電機驅動電路中的功率輸出��
4. 工業(yè)設備及消費類電子�(chǎn)品中的負載切換控��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護開��
6. 各種需要高效功率傳�?shù)碾娮酉到y(tǒng)�
IRFZ44N
FDP5570
AON6802