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GA1206A471GXABR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/28 21:13:43 查看 閱讀:7

GA1206A471GXABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻條件下保持穩(wěn)定的性能。
  該器件支持大電流輸出,并且具備出色的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力。其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì),便于安裝和散熱。

參數(shù)

型號(hào):GA1206A471GXABR31G
  類(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):47A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
  功耗:15W
  封裝:TO-220AC
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

GA1206A471GXABR31G 的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度,這使得它非常適合用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。
  1. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on) 僅為 4.5mΩ,能夠顯著減少導(dǎo)通損耗,提高整體效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)性能:由于其優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),此 MOSFET 可以在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
  3. 高可靠性:經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量控制流程,確保了其長(zhǎng)期使用的穩(wěn)定性。
  4. 寬泛的工作溫度范圍:可以在極端環(huán)境下正常運(yùn)行,適用于工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保材料使用,適合全球市場(chǎng)的需求。

應(yīng)用

這款功率 MOSFET 主要用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)關(guān)元件。
  2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器及降壓/升壓電路。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制電路。
  4. 電池保護(hù)和負(fù)載切換。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的各種開(kāi)關(guān)功能實(shí)現(xiàn)。

替代型號(hào)

GA1206A471GXABR21G
  IRFZ44N
  FDP5580
  STP47NF06L

ga1206a471gxabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容470 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-