GA1206A471GXABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻條件下保持穩(wěn)定的性能。
該器件支持大電流輸出,并且具備出色的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力。其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì),便于安裝和散熱。
型號(hào):GA1206A471GXABR31G
類(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):47A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
功耗:15W
封裝:TO-220AC
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
GA1206A471GXABR31G 的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度,這使得它非常適合用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。
1. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on) 僅為 4.5mΩ,能夠顯著減少導(dǎo)通損耗,提高整體效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)性能:由于其優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),此 MOSFET 可以在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
3. 高可靠性:經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量控制流程,確保了其長(zhǎng)期使用的穩(wěn)定性。
4. 寬泛的工作溫度范圍:可以在極端環(huán)境下正常運(yùn)行,適用于工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保材料使用,適合全球市場(chǎng)的需求。
這款功率 MOSFET 主要用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)關(guān)元件。
2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器及降壓/升壓電路。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制電路。
4. 電池保護(hù)和負(fù)載切換。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的各種開(kāi)關(guān)功能實(shí)現(xiàn)。
GA1206A471GXABR21G
IRFZ44N
FDP5580
STP47NF06L