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GA1206A471GBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 20:55:56 查看 閱讀�19

GA1206A471GBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等�(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-252(DPAK�,便于在各種電路中�(jìn)行布局和散熱設(shè)�(jì)。此�,該芯片具備出色的熱性能和電氣性能,能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  最大漏源極電壓(Vds):60V
  最大柵源極電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):47A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  總功耗(Ptot):18W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

GA1206A471GBABR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗并提高整體效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場合�
  3. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下依然保持可靠的性能�
  4. �(nèi)置反向二極管,支持續(xù)流功�,適用于電機(jī)�(qū)動和逆變器等場景�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系�(tǒng)中�
  6. 大電流承載能�,滿足高功率�(yīng)用需��
  7. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條��

�(yīng)�

該芯片廣泛用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),包括適配器和充電器�
  2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器,例如降�、升壓和反激式拓?fù)�?br>  3. 電機(jī)�(qū)動電�,如步�(jìn)電機(jī)、無刷直流電�(jī)(BLDC)控制�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
  5. 照明系統(tǒng)中的 LED �(qū)動器�
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保護(hù)電路�
  7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)的應(yīng)用場��

替代型號

GA1206A471GBABR31G, IRFZ44N, FDP5500, PSMN022-30PL

ga1206a471gbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容470 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-