GA1206A471GBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等�(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-252(DPAK�,便于在各種電路中�(jìn)行布局和散熱設(shè)�(jì)。此�,該芯片具備出色的熱性能和電氣性能,能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源極電壓(Vds):60V
最大柵源極電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):47A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
總功耗(Ptot):18W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-252 (DPAK)
GA1206A471GBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗并提高整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場合�
3. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下依然保持可靠的性能�
4. �(nèi)置反向二極管,支持續(xù)流功�,適用于電機(jī)�(qū)動和逆變器等場景�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系�(tǒng)中�
6. 大電流承載能�,滿足高功率�(yīng)用需��
7. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條��
該芯片廣泛用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),包括適配器和充電器�
2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器,例如降�、升壓和反激式拓?fù)�?br> 3. 電機(jī)�(qū)動電�,如步�(jìn)電機(jī)、無刷直流電�(jī)(BLDC)控制�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
5. 照明系統(tǒng)中的 LED �(qū)動器�
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保護(hù)電路�
7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)的應(yīng)用場��
GA1206A471GBABR31G, IRFZ44N, FDP5500, PSMN022-30PL