GA1206A470FXLBP31G 是一款高性能的功� MOSFET,采用先進的制造工藝設(shè)�,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(yīng)用。該器件具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠在高效率和散熱性能良好的條件下運行�
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器�,其封裝形式為行�(yè)標準� LFPAK 封裝,能夠有效降低寄生電感和提高熱性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�85nC
輸入電容�1200pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
GA1206A470FXLBP31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),可顯著減少導通損��
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. 高電流處理能�,確保在大負載條件下�(wěn)定運行�
4. 提供�(yōu)秀的熱性能,支持長時間高效工作�
5. 支持寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)各種嚴苛�(huán)境下的使用需��
6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保設(shè)計�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下場景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)��
2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. 電動車及工業(yè)電機�(qū)動系�(tǒng)中的功率控制�
4. LED �(qū)動電路中的功率管��
5. 電池保護與管理系�(tǒng)中的充放電路徑控制�
6. 通信�(shè)備中的信號調(diào)節(jié)與功率分配模��
GA1206A470FXLBPG31G, IRF2807ZPBF