GA1206A3R9DBCBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少發(fā)熱。
型號(hào):GA1206A3R9DBCBT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):120A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時(shí))
總功耗(Ptot):150W
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
GA1206A3R9DBCBT31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升效率。
2. 高速開關(guān)性能,可有效減少開關(guān)損耗。
3. 強(qiáng)大的過(guò)流能力,適用于高功率密度設(shè)計(jì)。
4. 增強(qiáng)型熱性能,確保在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠性高。
6. 短路耐受能力強(qiáng),提高了系統(tǒng)的安全性與穩(wěn)定性。
這些特點(diǎn)使 GA1206A3R9DBCBT31G 成為需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用的理想選擇。
GA1206A3R9DBCBT31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如適配器、充電器等。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,用于汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng),例如電動(dòng)工具、家用電器中的無(wú)刷直流電機(jī)控制。
4. 逆變器及 UPS 系統(tǒng),提供高效的電能轉(zhuǎn)換。
5. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源相關(guān)產(chǎn)品。
其高電流承載能力和快速開關(guān)速度使其非常適合于需要高效率和大功率處理能力的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。
IRFP2907ZPBF, FDP16N60C