GA1206A3R3CXCBP31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等場�。該型號屬于溝道增強型器�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于需要高效能�(zhuǎn)換的�(yīng)用環(huán)��
此型號為 N 溝道 MOSFET,采用先進的封裝技�(shù)以提升散熱性能和電氣特�。其�(shè)計特別針對消費電子和工業(yè)�(lǐng)域中的功率管理需��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�3.5A
�(dǎo)通電阻:3.8mΩ
柵極電荷�15nC
開關(guān)時間:典型� 12ns
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-252 (DPAK)
GA1206A3R3CXCBP31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,減少開�(guān)損耗并支持高頻�(yīng)��
3. 較小的柵極電�,簡化驅(qū)動電路設(shè)計并降低�(qū)動器功耗�
4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下仍能�(wěn)定運��
5. 小巧的封裝形�,便� PCB 布局并節(jié)省空��
6. 出色的熱性能,能夠有效散�(fā)運行過程中產(chǎn)生的熱量�
這些特點使該器件非常適合用作功率開關(guān)或同步整流元��
該芯片的主要�(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 電機�(qū)動中的控制元��
3. 負載開關(guān)和保護電路�
4. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET�
5. 消費類電子產(chǎn)品中的電池管理模塊�
由于其高效能和可靠�,這款 MOSFET 在多種功率管理場景中表現(xiàn)出色�
GA1206A3R3CXCBP28G
IRF7404
FDP5500
AON7709