GA1206A3R3CXCBC31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以�(shí)�(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高效�。該器件廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)域�
其封裝形式為緊湊型表面貼裝封�,能夠有效提升散熱性能并節(jié)省電路板空間。這款芯片具有出色的電氣特性和可靠�,適合在各種工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域中使用�
型號(hào):GA1206A3R3CXCBC3道增�(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�60V
最大柵源電�(V_GS):�20V
連續(xù)漏極電流(I_D)�12A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�3.0mΩ(典型值,在V_GS=10V�(shí)�
總功�(P_TOT)�58W
工作溫度范圍(T_J)�-55� � +175�
封裝:CXCBC31G
GA1206A3R3CXCBC31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,可減少�(kāi)�(guān)損耗,適用于高頻應(yīng)��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
4. �(nèi)置靜電放�(ESD)保護(hù)功能,提高了�(chǎn)品的可靠��
5. 緊湊型封裝設(shè)�(jì),有助于�(jiǎn)化PCB布局并優(yōu)化熱管理�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持�(wú)鉛焊接工藝�
該芯片的�(yīng)用場(chǎng)景十分廣�,具體包括:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或同步整流管�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
4. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
5. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的電源管理模��
6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)��
GA1206A3R3CXCBC32G, IRFZ44N, FDP5580