GA1206A391JXABT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,廣泛應用于電源管理、電機驅動和工業(yè)自動化等領域。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能。
其封裝形式為 TO-263(D2PAK),適用于表面貼裝技術(SMT),能夠顯著提高電路板的空間利用率并降低整體系統(tǒng)成本。
類型:MOSFET
極性:N溝道
最大漏源電壓(V_DS):60V
最大柵源電壓(V_GS):±20V
最大漏極電流(I_D):48A
導通電阻(R_DS(on)):1.5mΩ
功耗(P_TOT):160W
工作溫度范圍(T_A):-55℃至+175℃
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
GA1206A391JXABT31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(R_DS(on)),能夠有效減少功率損耗,提升效率。
2. 高額定電流能力,支持高達 48A 的連續(xù)漏極電流,適合大功率應用。
3. 良好的熱性能,通過優(yōu)化的封裝設計實現(xiàn)高效的散熱。
4. 寬工作溫度范圍,從 -55℃ 到 +175℃,適應各種惡劣環(huán)境條件。
5. 快速開關速度,有助于降低開關損耗,特別適用于高頻應用。
6. 提供優(yōu)異的靜電放電(ESD)保護能力,增強可靠性。
7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設備中。
該芯片適用于多種領域和應用場景,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)中的功率級控制。
2. 工業(yè)電機驅動中的橋式電路組件。
3. 太陽能逆變器中的功率轉換模塊。
4. 汽車電子系統(tǒng)的負載切換和保護功能。
5. 各類 DC/DC 和 AC/DC 轉換器的設計。
6. 照明驅動電路中的高效能量管理單元。
IRFZ44N
FDP55N06L
AON6814