GA1206A390JBABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率和低功耗應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換場景�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)�,其出色的電氣特性和可靠性使其成為工�(yè)、消�(fèi)電子及汽車電子領(lǐng)域中的理想選��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�120A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�250W
工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
6. 提供卓越的電流承載能力和耐壓性能�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流管�
2. 直流電機(jī)�(qū)動和控制電路�
3. 電動汽車和混合動力汽車中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率管��
5. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)功能�
6. 各類高功率密度應(yīng)用中的DC-DC�(zhuǎn)換器核心元件�
IRF7832, FDP5800, STP120NF06L