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GA1206A331GBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 19:05:09 查看 閱讀�19

GA1206A331GBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和其他需要高效開�(guān)和電流處理能力的�(yīng)用場(chǎng)景。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等優(yōu)�(shì),適合工�(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域的多種�(yīng)用需��
  這款芯片屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在�(yōu)化系�(tǒng)的效率和可靠�,同�(shí)提供卓越的電氣性能和穩(wěn)定��

參數(shù)

型號(hào):GA1206A331GBABR31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  工作電壓�30V
  最大漏極電流:150A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ(典型值)
  柵極電荷�48nC(典型值)
  開關(guān)速度:快速開�(guān)
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA1206A331GBABR31G具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率轉(zhuǎn)�,減少了能量損耗�
  2. 高額定電流能力使其能夠應(yīng)�(duì)大功率應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開�(guān)性能有助于降低開�(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率�
  4. 出色的熱�(wěn)定性和耐熱能力,適用于�(yán)苛的工作�(huán)��
  5. 小巧的封裝形式便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
  6. 寬泛的工作溫度范圍增�(qiáng)了芯片在極端條件下的可靠��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  4. 新能源汽車中的DC-DC�(zhuǎn)換器和電池管理系�(tǒng)�
  5. LED照明�(qū)�(dòng)電路�
  6. 各類功率變換和逆變器應(yīng)用�

替代型號(hào)

GA1206A331GBABR32G, IRF3205, FDP5500

ga1206a331gbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容330 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-