GA1206A330JBEBT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等�(lǐng)域。該器件采用了先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及出色的熱性能等特性。其封裝形式� TO-247-3,適合大功率�(yīng)用場��
型號:GA1206A330JBEBT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):650 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
最大連續(xù)漏極電流(Id):33 A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.065 Ω
總功耗(Ptot):300 W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1206A330JBEBT31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低功率損��
2. 高擊穿電壓(650V�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運行�
3. 快速開�(guān)能力,減少開�(guān)損�,提升效��
4. 出色的熱性能,適用于高功率密度設(shè)��
5. 封裝形式� TO-247-3,具有良好的散熱特性和機械強度�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
該器件非常適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場��
GA1206A330JBEBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或高頻開�(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
4. 太陽能逆變器中的功率模��
5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理�
由于其高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特點,特別適合用于要求高效率和高可靠性的電力電子系統(tǒng)中�
GA1206A330JBEBT32G, IRFP260N