時(shí)間：2025/5/24 13:23:09
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GA1206A330FBLBR31G 是一款由 GeneSiC Semiconductor 公司生產(chǎn)的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件。該器件采用了先進(jìn)的 SiC 技術(shù)，具有高效率、高開關(guān)頻率和耐高溫等特性，非常適合應(yīng)用于工業(yè)電源、新能源汽車、光伏逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
由于其卓越的電氣性能和熱性能，這款功率 MOSFET 能夠在高頻工作條件下顯著降低開關(guān)損耗，并提升系統(tǒng)的整體效率。
型號(hào)：GA1206A330FBLBR31G
類型：MOSFET（增強(qiáng)型）
材料：碳化硅 (SiC)
漏源極電壓 (Vds)：1200 V
連續(xù)漏極電流 (Id)：33 A
柵極-源極電壓 (Vgs)：±20 V
Rds(on)（典型值）：8.5 mΩ
結(jié)電容 (Coss)：49 pF
開關(guān)頻率：高達(dá) 1 MHz
封裝形式：TO-247-3L
1. 高擊穿電壓：該器件支持高達(dá) 1200V 的漏源極電壓，確保在高壓環(huán)境下可靠運(yùn)行。
2. 低導(dǎo)通電阻：Rds(on) 僅為 8.5mΩ，從而降低了導(dǎo)通損耗并提升了效率。
3. 快速開關(guān)速度：具備低柵極電荷和輸出電容，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的開關(guān)頻率，同時(shí)減少開關(guān)損耗。
4. 熱性能優(yōu)異：采用碳化硅技術(shù)，使器件能夠在更高溫度下穩(wěn)定工作，簡化了散熱設(shè)計(jì)。
5. 高可靠性：經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量測試，滿足嚴(yán)苛的工作環(huán)境要求，使用壽命長。
6. 封裝緊湊：TO-247-3L 封裝易于安裝且散熱性能良好，適合各種功率應(yīng)用。
1. 工業(yè)電源轉(zhuǎn)換：用于高效 DC-DC 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器中，以提高功率密度和降低能量損耗。
2. 新能源汽車：適用于車載充電器 (OBC) 和牽引逆變器，提供快速響應(yīng)和高效率。
3. 光伏逆變器：支持高效的 MPPT 控制和能量轉(zhuǎn)換，幫助最大化太陽能利用率。
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：為高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提供精確控制和快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)。
5. UPS 不間斷電源：提供穩(wěn)定可靠的電力保護(hù)，確保關(guān)鍵設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。
GA1206A330FBLBR25G, GA1206A330FBLBR40G
