GA1206A2R7BBLBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�。該器件采用增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(e-mode HEMT)設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和無(wú)線充電等�(yīng)用。其封裝形式為小型化表面貼裝類型,便于在緊湊型電路板上�(jìn)行布局和安裝�
該型�(hào)屬于GaN Systems公司推出的高性能氮化電子、工�(yè)電源和通信�(shè)備領(lǐng)域�(jìn)行了�(yōu)�。與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,GA1206A2R7BBLBR31G 提供了更高的功率密度和更低的能量損�,從而提升了整體系統(tǒng)的效率�
額定電壓�650V
額定電流�14A
�(dǎo)通電阻:27mΩ
柵極電荷�80nC
輸出電容�980pF
開關(guān)頻率:最高支持MHz�(jí)�
工作溫度范圍�-40� � +125�
封裝形式:LLP-8(表面貼裝)
GA1206A2R7BBLBR31G 的主要特性包括:
1. 高效開關(guān)性能:得益于氮化鎵材料的�(dú)特屬�,該晶體管能�?qū)崿F(xiàn)更快的開�(guān)速度,同�(shí)保持較低的導(dǎo)通電阻�
2. 小尺寸封裝:使用LLP-8封裝,使其非常適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)景�
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):即使在較高溫度條件下也能保持穩(wěn)定的電氣特��
4. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平信號(hào)輸入,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�(guò)��
5. 低電磁干擾:�(yōu)化的�(shè)�(jì)減少了開�(guān)操作�(shí)�(chǎn)生的噪聲�(wèn)��
6. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)試以確保�(zhǎng)期運(yùn)行中的穩(wěn)定性和耐用性�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源適配�
2. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�
3. 電動(dòng)汽車車載充電�
4. 快速充電器
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
6. 光伏逆變�
7. �(wú)線電力傳輸系�(tǒng)
8. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換模�
這些�(yīng)用充分利用了GA1206A2R7BBLBR31G 的高效能和小體積�(yōu)�(shì),滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)高性能和節(jié)能的需求�
GS66508T
GS61008P
TX65014AL