GA1206A2R2DBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開關電�、DC-DC �(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等應用領域。該芯片采用先進的制造工藝效率和�(yōu)良的熱性能,適用于需要高效能和低損耗的設計場景�
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,能夠承受較高的電壓和電流,并且具備快速開關能力,適合高頻應用�(huán)��
型號:GA1206A2R2DBEBR31G
類型:N 溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):650 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
最大連續(xù)漏極電流(Id):18 A
導通電阻(Rds(on)):0.14 Ω(在 Vgs = 10 V 時)
功耗:300 W
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1206A2R2DBEBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,有助于降低傳導損耗并提高整體效率�
2. 高速開關能�,支持高頻應用場�,減少開關損耗�
3. �(yōu)秀的熱性能設計,保證在高功率應用中的穩(wěn)定��
4. 強大的雪崩能力和魯棒�,可應對異常情況下的過載或短路保��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛,滿足現(xiàn)代電子設備對綠色材料的需��
6. 寬泛的工作溫度范圍,適應各種惡劣�(huán)境條��
GA1206A2R2DBEBR31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)設計,提供高效的電能轉(zhuǎn)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主開關管使�,實�(xiàn)電壓�(diào)節(jié)功能�
3. 電機�(qū)動控制電路,用于逆變器和變頻器等系統(tǒng)�
4. 太陽能逆變�,幫助將直流電轉(zhuǎn)換為交流電以接入電網(wǎng)�
5. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護電路�
6. 各種大功率電子設備中的功率管理模��
GA1206A2R2DDEBR31G, IRFP260N, STP18NF50