GA1206A2R2BBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開關電源、電機驅動和直流-直流轉換等應�。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和高開關速度的特�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
這款芯片屬于 N 溝道增強� MOSFET,其封裝形式為行�(yè)標準的小型封裝,便于在高密度設計中使�。通過�(yōu)化的柵極電荷設計,該器件在高頻工作條件下表現(xiàn)出色,同時支持高� 12V 的工作電��
最大漏源電壓:12V
連續(xù)漏極電流�6A
導通電阻(典型值)�2.2mΩ
柵極電荷�45nC
開關時間:開啟時� 12ns / 關斷時間 18ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:BEBR31G
GA1206A2R2BBEBR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電�,可顯著減少傳導損�,適合高效能應用�
2. 高速開關性能,適用于高頻操作�(huán)��
3. 小型化封裝設計,節(jié)� PCB 空間�
4. 強大的熱�(wěn)定性,能夠在寬溫范圍內(nèi)可靠運行�
5. �(nèi)� ESD 保護功能,提高器件的抗靜電能��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際�(guī)范要��
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS) 中的同步整流��
2. 電機驅動電路中的功率開關�
3. 直流-直流轉換器中的主開關或輔助開��
4. 負載切換和電池管理系�(tǒng)的功率控��
5. 可穿戴設備和其他便攜式電子產(chǎn)品的功率管理模塊�
6. 工業(yè)自動化設備中的功率調(diào)節(jié)與分配組件�
GA1206A2R2BBEBR32G, IRFZ44N, FDP5500