GA1206A272JBBBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等高效率功率管理�(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,具備優(yōu)異的熱性能和可靠�,適合于要求�(yán)苛的工業(yè)及消�(fèi)電子�(yīng)用環(huán)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷�48nC
輸入電容�1800pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
GA1206A272JBBBT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損耗并提升整體效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,可支持高頻操作�(chǎng)�,適�(yīng)�(xiàn)代高效能�(shè)�(jì)需��
3. 高額定電流能�,確保在大負(fù)載條件下仍能�(wěn)定運(yùn)��
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下保持出色的性能表現(xiàn)�
5. �(qiáng)大的短路耐受能力,提升了系統(tǒng)的安全性和可靠性�
6. 采用行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)封裝,便于集成與散熱�(shè)�(jì)�
這款功率MOSFET適用于多種應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流管�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻�(kāi)�(guān)元件�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)�(kāi)�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. 汽車(chē)電子中的�(fù)載切換與逆變功能�(shí)�(xiàn)�
其高效率和大電流承載能力使其成為眾多電力電子�(yīng)用的理想選擇�
GA1206A272JBBBT32G, IRF2807Z, FDP15U20AEN