GA1206A272FBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等場�。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝設(shè)�(jì),具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提高整體性能�
該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)� FBAB 封裝,具有良好的散熱特性和�(jī)械穩(wěn)定性。通過�(yōu)化的柵極�(qū)動設(shè)�(jì),GA1206A272FBABT31G 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�27A
�(dǎo)通電阻:2mΩ
柵極電荷�15nC
開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)� 12ns,關(guān)閉時(shí)� 18ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
GA1206A272FBABT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有效減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)�,降低開�(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)在異常條件下的魯棒性�
4. 柵極閾值電壓經(jīng)過優(yōu)�,確保兼容各類驅(qū)動電��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)要求�
6. 提供卓越的熱性能,支持高功率密度�(shè)�(jì)�
7. 具備出色� EMC 特�,減少電磁干擾對系統(tǒng)的影��
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,如降壓、升壓及正負(fù)�(zhuǎn)換電路�
3. 電動工具、家用電器和其他消費(fèi)類產(chǎn)品的電機(jī)�(qū)��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開關(guān)�
6. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的電源管理單元�
IRFZ44N, FDP16N60C, SI4872DY