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GA1206A272FBABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 4:22:07 查看 閱讀�10

GA1206A272FBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等場�。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝設(shè)�(jì),具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提高整體性能�
  該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)� FBAB 封裝,具有良好的散熱特性和�(jī)械穩(wěn)定性。通過�(yōu)化的柵極�(qū)動設(shè)�(jì),GA1206A272FBABT31G 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�27A
  �(dǎo)通電阻:2mΩ
  柵極電荷�15nC
  開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)� 12ns,關(guān)閉時(shí)� 18ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

GA1206A272FBABT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有效減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)�,降低開�(guān)損��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)在異常條件下的魯棒性�
  4. 柵極閾值電壓經(jīng)過優(yōu)�,確保兼容各類驅(qū)動電��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)要求�
  6. 提供卓越的熱性能,支持高功率密度�(shè)�(jì)�
  7. 具備出色� EMC 特�,減少電磁干擾對系統(tǒng)的影��

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,如降壓、升壓及正負(fù)�(zhuǎn)換電路�
  3. 電動工具、家用電器和其他消費(fèi)類產(chǎn)品的電機(jī)�(qū)��
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開關(guān)�
  6. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的電源管理單元�

替代型號

IRFZ44N, FDP16N60C, SI4872DY

ga1206a272fbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-