GA1206A271KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種開關(guān)�(yīng)用中。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減少能量損耗�
這款MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,適用于高電流和高頻工作的�(chǎng)�,支持表面貼裝封裝形式,有助于提高電路板�(shè)�(jì)的靈活��
類型:N溝道MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�45A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�1.8mΩ
柵極電荷Qg�45nC
總功耗Ptot�125W
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-247-3
GA1206A271KBABT31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(1.8mΩ�,可有效降低�(dǎo)通損��
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. 高電流承載能力(45A),滿足大功率需��
4. 耐高溫設(shè)�(jì),工作溫度范圍可�(dá)-55℃至+175�,適�(yīng)惡劣�(huán)境�
5. 提供全面的靜電防�(hù)措施,增�(qiáng)了器件的可靠��
6. 表面貼裝封裝,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和緊湊型�(shè)�(jì)�
這些特點(diǎn)使得該MOSFET成為工業(yè)和汽車領(lǐng)域中的理想選��
GA1206A271KBABT31G適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)及DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)�
3. 汽車電子系統(tǒng),如啟動(dòng)馬達(dá)和發(fā)電機(jī)控制�
4. 大功率LED�(qū)�(dòng)器�
5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)�
由于其高效的功率處理能力和穩(wěn)定�,該器件在需要高效能和可靠性的�(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出�
GA1206A281KBAAT31G, IRFZ44N, FDP55N06L