GA1206A271GXCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動以及工�(yè)控制等領(lǐng)�。該器件采用先進的制造工�,在效率、可靠性和熱性能方面表現(xiàn)出色。其�(shè)計目標是為高功率密度�(yīng)用提供低導通電阻和快速開�(guān)速度�
型號:GA1206A271GXCBR31G
類型:N-Channel MOSFET
工作電壓�50V
連續(xù)漏極電流�100A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�1800pF
功耗:250W
封裝形式:TO-247
GA1206A271GXCBR31G具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(1.5mΩ�,能夠有效降低功率損��
2. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損�,提升整體效��
3. 高電流承載能�,適合大功率�(yīng)用場��
4. �(nèi)置反向二極管功能,增強對感性負載的支持�
5. 具備出色的熱�(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下依然保持可靠的性能�
6. �(yōu)化的封裝�(shè)計,便于散熱并支持表面貼裝或插件安裝方式�
這些特點使該器件非常適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、電池管理系�(tǒng)及電動工具驅(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)��
該芯片主要應(yīng)用于以下幾個方面:
1. 工業(yè)電機�(qū)動系�(tǒng),如伺服電機和步進電機控��
2. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器或主開關(guān)元件�
3. 新能源汽車中的車載充電機(OBC)和DC-DC�(zhuǎn)換模塊�
4. 大功率LED�(qū)動電��
5. 不間斷電源(UPS)和光伏逆變器中的關(guān)鍵功率處理單元�
6. 各類需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合,包括通信�(shè)備和消費電子�(chǎn)品中的電源管理部分�
GA1206A271GXCBR30G
IRFP2907
FDP150N50AE