GA1206A271GXABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電路等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��
該型�(hào)屬于功率 MOSFET 系列,其�(shè)�(jì)�(yōu)化了靜態(tài)和動(dòng)�(tài)性能參數(shù),能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備的需求。通過(guò)降低�(kāi)�(guān)損耗和�(dǎo)通損�,這款芯片可有效提升系�(tǒng)的整體效��
類型:N-Channel MOSFET
漏源極電�(Vdss)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)1MHz
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
GA1206A271GXABT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),從而減少了�(dǎo)通損耗并提升了系�(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,降低了�(kāi)�(guān)損��
3. �(qiáng)大的散熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
4. 出色的雪崩能力和 ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒性和可靠性�
5. 低柵極電荷和輸入電容,簡(jiǎn)化了�(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)�
這些特性使� GA1206A271GXABT31G 成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇,如服務(wù)器電�、通信電源、太�(yáng)能逆變器和電動(dòng)工具�(qū)�(dòng)��
這款芯片適用于廣泛的工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)域,主要�(yīng)用包括:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路中的功率級(jí)�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS) 中的充放電控制開(kāi)�(guān)�
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和功率�(diào)節(jié)�
GA1206A271GXABT31G 的高效能和高可靠性使其在上述�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)還能滿足未來(lái)更復(fù)雜的�(shè)�(jì)需��
GA1206A281GXABT31G, IRF840, STP55NF06