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GA1206A222GXBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 9:59:08 查看 閱讀�15

GA1206A222GXBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)良的熱性能,能夠滿足現(xiàn)代電力系�(tǒng)�(duì)高效能和小型化的要求�
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�。其出色的電氣特性和可靠性使其成為眾多工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的理想選��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�80A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
  總柵極電�(Qg)�95nC
  輸入電容(Ciss)�4740pF
  輸出電容(Coss)�108pF
  反向傳輸電容(Crss)�83pF
  功�(Ptot)�225W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA1206A222GXBBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,確保高效的功率�(zhuǎn)換并減少�(fā)熱�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)�,降低開(kāi)�(guān)損��
  3. �(qiáng)大的雪崩能量能力,提升器件的可靠性和耐用��
  4. 小型化的封裝�(shè)�(jì),有助于節(jié)省電路板空間�
  5. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到綠色產(chǎn)品設(shè)�(jì)��
  這些特性使� GA1206A222GXBBR31G 成為需要高效率和高性能�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片的�(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,主要包括以下方面�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) 和適配器�
  2. 各種類型� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  4. 新能源汽�(chē)中的電池管理系統(tǒng)(BMS) 和逆變��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
  6. LED 照明系統(tǒng)的驅(qū)�(dòng)電路�
  憑借其卓越的性能和穩(wěn)定性,GA1206A222GXBBR31G 在上述領(lǐng)域中均表�(xiàn)出色,能夠滿足不同場(chǎng)景下的功率需��

替代型號(hào)

GA1206A222GXBBR32G, IRF840, FDP5500

ga1206a222gxbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-