GA1206A222GXBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)良的熱性能,能夠滿足現(xiàn)代電力系�(tǒng)�(duì)高效能和小型化的要求�
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�。其出色的電氣特性和可靠性使其成為眾多工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的理想選��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�80A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
總柵極電�(Qg)�95nC
輸入電容(Ciss)�4740pF
輸出電容(Coss)�108pF
反向傳輸電容(Crss)�83pF
功�(Ptot)�225W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1206A222GXBBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,確保高效的功率�(zhuǎn)換并減少�(fā)熱�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)�,降低開(kāi)�(guān)損��
3. �(qiáng)大的雪崩能量能力,提升器件的可靠性和耐用��
4. 小型化的封裝�(shè)�(jì),有助于節(jié)省電路板空間�
5. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到綠色產(chǎn)品設(shè)�(jì)��
這些特性使� GA1206A222GXBBR31G 成為需要高效率和高性能�(yīng)用的理想選擇�
該芯片的�(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,主要包括以下方面�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) 和適配器�
2. 各種類型� DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
4. 新能源汽�(chē)中的電池管理系統(tǒng)(BMS) 和逆變��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
6. LED 照明系統(tǒng)的驅(qū)�(dòng)電路�
憑借其卓越的性能和穩(wěn)定性,GA1206A222GXBBR31G 在上述領(lǐng)域中均表�(xiàn)出色,能夠滿足不同場(chǎng)景下的功率需��
GA1206A222GXBBR32G, IRF840, FDP5500