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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A221JBBBR31G

GA1206A221JBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 22:02:15 查看 閱讀�9

GA1206A221JBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類�(kāi)�(guān)電路�。該芯片屬于溝槽型MOSFET技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低能耗�
  其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝器件(SMD�,便于自�(dòng)化生�(chǎn),并具有良好的熱性能表現(xiàn)�

參數(shù)

型號(hào):GA1206A221JBBBR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�22A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷(Qg)�48nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)速度:快速開(kāi)�(guān)
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)

特�

GA1206A221JBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,確保高效的功率�(zhuǎn)�,減少發(fā)熱和功耗�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器和同步整流電��
  3. 高額定電流支持,適用于大功率�(fù)載場(chǎng)��
  4. �(wěn)健的電氣特性和可靠性設(shè)�(jì),能夠在極端溫度范圍�(nèi)正常�(yùn)��
  5. 小巧的表面貼裝封�,簡(jiǎn)化了PCB布局和制造流程�
  6. �(nèi)置ESD保護(hù)�(jī)�,提高了�(chǎn)品的耐用��

�(yīng)�

這款芯片的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,具體包括�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)功能�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和信號(hào)�(diào)節(jié)�
  5. LED照明�(qū)�(dòng)電路中的高效功率�(zhuǎn)換組件�
  6. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制模塊�

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP55N06L, AO3400A

ga1206a221jbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-