GA1206A221JBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類�(kāi)�(guān)電路�。該芯片屬于溝槽型MOSFET技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低能耗�
其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝器件(SMD�,便于自�(dòng)化生�(chǎn),并具有良好的熱性能表現(xiàn)�
型號(hào):GA1206A221JBBBR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�22A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷(Qg)�48nC(典型值)
�(kāi)�(guān)速度:快速開(kāi)�(guān)
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
GA1206A221JBBBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,確保高效的功率�(zhuǎn)�,減少發(fā)熱和功耗�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器和同步整流電��
3. 高額定電流支持,適用于大功率�(fù)載場(chǎng)��
4. �(wěn)健的電氣特性和可靠性設(shè)�(jì),能夠在極端溫度范圍�(nèi)正常�(yùn)��
5. 小巧的表面貼裝封�,簡(jiǎn)化了PCB布局和制造流程�
6. �(nèi)置ESD保護(hù)�(jī)�,提高了�(chǎn)品的耐用��
這款芯片的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,具體包括�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)功能�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和信號(hào)�(diào)節(jié)�
5. LED照明�(qū)�(dòng)電路中的高效功率�(zhuǎn)換組件�
6. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制模塊�
IRFZ44N, FDP55N06L, AO3400A