GA1206A221FBEBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低能耗�
這款器件采用先�(jìn)的制造工�,具備較高的電流承載能力和耐壓能力,適用于工業(yè)、汽車和消費類電子領(lǐng)��
型號:GA1206A221FBEBR31G
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝:TO-263(D2PAK�
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�45A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�2.2mΩ(在Vgs=10V時)
總功耗Ptot�150W
工作溫度范圍Tj�-55℃至+175�
GA1206A221FBEBR31G具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低功率損�,提高整體效��
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場��
3. 出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在極端溫度條件下長期運行�
4. �(nèi)置ESD保護電路,提高了芯片的抗靜電能力�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
此外,該芯片還支持多種保護功�,例如過流保護和短路保護,確保系�(tǒng)安全可靠�
GA1206A221FBEBR31G的主要應(yīng)用場景包括:
1. 開關(guān)電源中的主開�(guān)管或同步整流管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機�(qū)動中的橋臂開�(guān)�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載控��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換與控制�
由于其優(yōu)異的性能和廣泛的適用性,這款芯片成為眾多�(shè)計工程師的首選方��
GA1206A221FBEBR28G, IRF540N, FDP55N06L