時(shí)間：2025/5/22 20:59:18
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GA1206A220GBCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等電力電子設(shè)備中。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
這款器件屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，通過柵極電壓控制漏極和源極之間的導(dǎo)通與關(guān)斷。其出色的電氣性能使其在高頻率應(yīng)用中表現(xiàn)出色，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。
型號：GA1206A220GBCBR31G
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：650V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
持續(xù)漏極電流(Id)：12A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.18Ω
總柵極電荷(Qg)：45nC
輸入電容(Ciss)：1500pF
輸出電容(Coss)：47pF
反向傳輸電容(Crss)：19pF
結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃至+150℃
GA1206A220GBCBR31G 具有以下主要特性：
1. 高耐壓能力：650V 的漏源擊穿電壓使其適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 低導(dǎo)通電阻：Rds(on) 僅為 0.18Ω，在高電流條件下可顯著降低傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)性能：較小的總柵極電荷 (Qg) 和低輸出電容 (Coss)，有助于減少開關(guān)損耗并支持高頻操作。
4. 強(qiáng)大的電流承載能力：持續(xù)漏極電流高達(dá) 12A，滿足大功率需求。
5. 穩(wěn)定的工作溫度范圍：能夠在 -55℃ 至 +150℃ 的結(jié)溫范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
6. 高效散熱設(shè)計(jì)：優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)提高了散熱性能，延長了器件壽命。
7. 可靠性高：經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量測試，確保長期使用的穩(wěn)定性。
該芯片適用于多種電力電子場景，包括但不限于：
1. 開關(guān)電源 (SMPS)：作為主開關(guān)管，用于高效能量轉(zhuǎn)換。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：為無刷直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)提供精確的電流控制。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器：實(shí)現(xiàn)電壓調(diào)節(jié)和穩(wěn)壓功能。
4. 逆變器：用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。
5. 電池管理系統(tǒng)：保護(hù)電路免受過流和短路損害。
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備：如 PLC 控制器中的功率級組件。
7. 汽車電子：如電動(dòng)車窗、座椅加熱器等系統(tǒng)的功率控制單元。
GA1206A220GBCCP31G, IRFP260N, FQP18N65C3
