GA1206A220GBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器以及其他電力電子設(shè)備中。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,其設(shè)計(jì)優(yōu)化了柵極驅(qū)動(dòng)特性,使其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。同時(shí),它還具有較高的雪崩耐量能力,能夠在異常條件下提供額外的保護(hù)。
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流:6A
導(dǎo)通電阻:220mΩ
柵極電荷:15nC
開關(guān)時(shí)間:開啟延遲時(shí)間 12ns,上升時(shí)間 9ns,關(guān)斷延遲時(shí)間 28ns,下降時(shí)間 7ns
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
GA1206A220GBBBR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有效降低傳導(dǎo)損耗。
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用。
3. 高雪崩擊穿能量,提高了器件的魯棒性。
4. 優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)特性,簡化了驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。
5. 小尺寸封裝,便于高密度 PCB 布局。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
該芯片廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
5. 太陽能逆變器
6. LED 驅(qū)動(dòng)器
7. 各類工業(yè)控制設(shè)備
IRFZ44N
STP120NF06L
FDP580