GA1206A220FBABR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,專為高頻開關(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的半導(dǎo)體工藝制�,具備低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高耐壓能力,適用于電源管理、電機驅(qū)動以� DC-DC �(zhuǎn)換器等場景�
其封裝形式為行業(yè)標準的表面貼裝類�,具有良好的散熱性能,適合高功率密度的設(shè)計需��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�22A
�(dǎo)通電阻:0.018Ω
柵極電荷�95nC
開關(guān)頻率:高� 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A220FBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功耗并提升效率�
2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻操�,減少磁性元件體��
3. 高擊穿電壓確保在高壓�(huán)境下的可靠運��
4. 小型化封�,節(jié)� PCB 空間,同時提供出色的熱管理能��
5. 具備較強的抗雪崩能力和靜電防護功能,增強系統(tǒng)�(wěn)定��
6. 完全符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機控制和驅(qū)動電�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器
4. 逆變�
5. UPS 不間斷電�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源模�
7. 太陽能微逆變器及其他可再生能源相�(guān)�(shè)�
GA1206A220FBABR31H, IRF840, STP22NF55