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GA1206A1R8DBLBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 22:07:57 查看 閱讀�8

GA1206A1R8DBLBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工�,適用于多種高效率電源管理場景。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠在�(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行�
  該器件主要面向工�(yè)、通信及消�(fèi)電子�(lǐng)�,廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的電路��

參數(shù)

型號(hào):GA1206A1R8DBLBT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  額定電壓(Vds)�60V
  額定電流(Id)�120A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型值,25°C�
  柵極電荷(Qg)�45nC
  最大功�(PD)�200W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A1R8DBLBT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,確保在高電流應(yīng)用中的高效功率傳��
  2. 高速開�(guān)能力,能夠顯著降低開�(guān)損��
  3. 出色的熱�(wěn)定性,適合長時(shí)間高溫環(huán)境下的持�(xù)�(yùn)��
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,可�(yōu)化電路設(shè)�(jì)并減少外部元件使��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
  6. 封裝�(jiān)固耐用,便于散熱管理,提升系統(tǒng)可靠��

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(yīng)用:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(jí)�(zhuǎn)換�
  2. 電動(dòng)汽車(EV)及混合動(dòng)力汽�(HEV)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)控制與驅(qū)�(dòng)�
  4. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì)�
  5. 大功� LED �(qū)�(dòng)電路�
  6. 各種�(fù)載開�(guān)及保�(hù)電路�

替代型號(hào)

GA12BT32G, IRFP2907, FDP18N60C

ga1206a1r8dblbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-