GA1206A1R8DBLBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工�,適用于多種高效率電源管理場景。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠在�(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行�
該器件主要面向工�(yè)、通信及消�(fèi)電子�(lǐng)�,廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的電路��
型號(hào):GA1206A1R8DBLBT31G
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓(Vds)�60V
額定電流(Id)�120A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型值,25°C�
柵極電荷(Qg)�45nC
最大功�(PD)�200W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
GA1206A1R8DBLBT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,確保在高電流應(yīng)用中的高效功率傳��
2. 高速開�(guān)能力,能夠顯著降低開�(guān)損��
3. 出色的熱�(wěn)定性,適合長時(shí)間高溫環(huán)境下的持�(xù)�(yùn)��
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,可�(yōu)化電路設(shè)�(jì)并減少外部元件使��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
6. 封裝�(jiān)固耐用,便于散熱管理,提升系統(tǒng)可靠��
該芯片適用于以下�(yīng)用:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(jí)�(zhuǎn)換�
2. 電動(dòng)汽車(EV)及混合動(dòng)力汽�(HEV)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)控制與驅(qū)�(dòng)�
4. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì)�
5. 大功� LED �(qū)�(dòng)電路�
6. 各種�(fù)載開�(guān)及保�(hù)電路�
GA12BT32G, IRFP2907, FDP18N60C