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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A1R8CBLBT31G

GA1206A1R8CBLBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 22:07:22 查看 閱讀�8

GA1206A1R8CBLBT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)�。該型號(hào)采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合在高頻和大電流�(huán)境下工作�
  該器件為 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,封裝形式為 LFPAK56E(也稱為 D2PAK 封裝),具有良好的散熱特性和電氣性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�140A
  �(dǎo)通電阻:1.4mΩ
  柵極電荷�97nC
  開關(guān)�(shí)間:典型� 30ns(開啟)�50ns(關(guān)閉)
  �(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

GA1206A1R8CBLBT31G 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,適用于大功率應(yīng)用環(huán)��
  3. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,有助于減少開關(guān)損��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
  5. �(yōu)化的熱設(shè)�(jì),支持長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
  6. 提供�(yōu)異的 ESD 和雪崩保�(hù)功能,增�(qiáng)器件的耐用��

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變��
  3. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng)�
  4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
  5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)換模��
  6. LED 照明�(qū)�(dòng)電路及其他消�(fèi)類電子產(chǎn)品�

替代型號(hào)

GA1206A1R8CBTBT31G, IRF3205, AO3400A

ga1206a1r8cblbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.8 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-