GA1206A1R8CBLBT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)�。該型號(hào)采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合在高頻和大電流�(huán)境下工作�
該器件為 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,封裝形式為 LFPAK56E(也稱為 D2PAK 封裝),具有良好的散熱特性和電氣性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�140A
�(dǎo)通電阻:1.4mΩ
柵極電荷�97nC
開關(guān)�(shí)間:典型� 30ns(開啟)�50ns(關(guān)閉)
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
GA1206A1R8CBLBT31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,適用于大功率應(yīng)用環(huán)��
3. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,有助于減少開關(guān)損��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
5. �(yōu)化的熱設(shè)�(jì),支持長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
6. 提供�(yōu)異的 ESD 和雪崩保�(hù)功能,增�(qiáng)器件的耐用��
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變��
3. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng)�
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)換模��
6. LED 照明�(qū)�(dòng)電路及其他消�(fèi)類電子產(chǎn)品�
GA1206A1R8CBTBT31G, IRF3205, AO3400A