日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市�(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA1206A1R8BBABR31G

GA1206A1R8BBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 16:15:00 查看 閱讀�20

GA1206A1R8BBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持優(yōu)異的性能�
  這款功率 MOSFET 的封裝形式為 TO-263,能夠有效提高散熱性能,適合大電流和高電壓的應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�120A
  �(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�145nC
  輸入電容�3920pF
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

GA1206A1R8BBABR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,使其適用于工業(yè)�(jí)大功率應(yīng)用�
  3. 快速開�(guān)性能,可減少開關(guān)損�,提升高頻工作下的效��
  4. �(yōu)化的熱設(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  6. 封裝�(jié)�(gòu)�(jiān)固耐用,支持表面貼裝技�(shù) (SMT),便于自�(dòng)化生�(chǎn)�

�(yīng)�

該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器和電動(dòng)車控制器�
  4. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換和功率管理�
  5. 高效電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路�

替代型號(hào)

GA1206A1R8BBAR31G
  IRFP2907
  FDP18N60E

ga1206a1r8bbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.8 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-