GA1206A1R8BBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持優(yōu)異的性能�
這款功率 MOSFET 的封裝形式為 TO-263,能夠有效提高散熱性能,適合大電流和高電壓的應(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�145nC
輸入電容�3920pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
GA1206A1R8BBABR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,使其適用于工業(yè)�(jí)大功率應(yīng)用�
3. 快速開�(guān)性能,可減少開關(guān)損�,提升高頻工作下的效��
4. �(yōu)化的熱設(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. 封裝�(jié)�(gòu)�(jiān)固耐用,支持表面貼裝技�(shù) (SMT),便于自�(dòng)化生�(chǎn)�
該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
3. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器和電動(dòng)車控制器�
4. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換和功率管理�
5. 高效電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路�
GA1206A1R8BBAR31G
IRFP2907
FDP18N60E