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GA1206A1R5DBABR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 12:03:46 查看 閱讀�3

GA1206A1R5DBABR31G 是一款由 GeneSiC Semiconductor 生產(chǎn)的碳化硅 (SiC) MOSFET 芯片。該芯片采用了先進的 SiC 技�(shù),具有高開關(guān)頻率、低�(dǎo)通電阻和高效能轉(zhuǎn)換的特點,適用于高功率密度應(yīng)用場��
  其封裝形式為 D2PAK-7 (TO-263),能夠承受較高的電壓和電�,并且在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的工作性能。這款芯片廣泛�(yīng)用于工業(yè)電源、電機驅(qū)�、太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�

參數(shù)

額定電壓�1200V
  額定電流�6A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  最大工作溫度范圍:-55� � +175�
  柵極電荷�48nC
  反向恢復(fù)時間:無(由� SiC 技�(shù)特性)

特�

GA1206A1R5DBABR31G 的主要特性包括:
  1. 使用了碳化硅材料,具備更高的效率和更低的開關(guān)損��
  2. 高溫下的�(wěn)定性使其非常適合惡劣環(huán)境中的應(yīng)用�
  3. 支持高達 1200V 的阻斷電�,適合高壓電力電子系�(tǒng)�
  4. 極低的導(dǎo)通電阻確保了較低的傳�(dǎo)損�,從而提高了整體效率�
  5. 封裝�(shè)計緊湊,便于散熱并減少寄生電感影��
  6. �(nèi)部集成了二極管功�,無需額外配置反向恢復(fù)元件�

�(yīng)�

這款芯片適用于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)�
  3. 電動汽車充電站及相關(guān)基礎(chǔ)�(shè)��
  4. 高頻開關(guān)電源以及電機�(qū)動控制器�
  5. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)和其他高性能電力電子�(shè)��

替代型號

GA1206A1R5DCAJR31G

ga1206a1r5dbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.5 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-