GA1206A1R5DBABR31G 是一款由 GeneSiC Semiconductor 生產(chǎn)的碳化硅 (SiC) MOSFET 芯片。該芯片采用了先進的 SiC 技�(shù),具有高開關(guān)頻率、低�(dǎo)通電阻和高效能轉(zhuǎn)換的特點,適用于高功率密度應(yīng)用場��
其封裝形式為 D2PAK-7 (TO-263),能夠承受較高的電壓和電�,并且在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的工作性能。這款芯片廣泛�(yīng)用于工業(yè)電源、電機驅(qū)�、太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�
額定電壓�1200V
額定電流�6A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
最大工作溫度范圍:-55� � +175�
柵極電荷�48nC
反向恢復(fù)時間:無(由� SiC 技�(shù)特性)
GA1206A1R5DBABR31G 的主要特性包括:
1. 使用了碳化硅材料,具備更高的效率和更低的開關(guān)損��
2. 高溫下的�(wěn)定性使其非常適合惡劣環(huán)境中的應(yīng)用�
3. 支持高達 1200V 的阻斷電�,適合高壓電力電子系�(tǒng)�
4. 極低的導(dǎo)通電阻確保了較低的傳�(dǎo)損�,從而提高了整體效率�
5. 封裝�(shè)計緊湊,便于散熱并減少寄生電感影��
6. �(nèi)部集成了二極管功�,無需額外配置反向恢復(fù)元件�
這款芯片適用于以下領(lǐng)域:
1. 工業(yè)� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)�
3. 電動汽車充電站及相關(guān)基礎(chǔ)�(shè)��
4. 高頻開關(guān)電源以及電機�(qū)動控制器�
5. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)和其他高性能電力電子�(shè)��
GA1206A1R5DCAJR31G