GA1206A1R5BBCBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
該型號(hào)屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,其封裝形式為 TO-263(D2PAK),具有出色的散熱性能,適合大功率應(yīng)用場(chǎng)合。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:120A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:70nC
開(kāi)關(guān)速度:50ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
GA1206A1R5BBCBT31G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流能力,適用于大功率應(yīng)用環(huán)境。
3. 快速開(kāi)關(guān)速度和較低的柵極電荷,減少了開(kāi)關(guān)損耗。
4. 強(qiáng)大的熱性能設(shè)計(jì),確保在高溫環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
6. 封裝形式堅(jiān)固耐用,便于安裝與維護(hù)。
該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中用于提高效率的關(guān)鍵元件。
3. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電機(jī)控制器。
4. 工業(yè)設(shè)備中的變頻器和逆變器。
5. 大功率 LED 驅(qū)動(dòng)電路。
6. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路。
GA1206A1R5BBCBT31H, IRF3205, FDP18N06L