GA1206A1R5BBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以確保其在高電流和高頻�(yīng)用中的卓越表�(xiàn)。該芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�,能夠提供高效的功率�(zhuǎn)換和�(wěn)定的性能�
這款功率 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效�。同�(shí),它還具備出色的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力,適合各種�(yán)苛的工作�(huán)��
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)頻率�500kHz
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1206A1R5BBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)��
3. 高度可靠的封裝設(shè)�(jì),確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行穩(wěn)定��
4. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)多種工業(yè)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)用場(chǎng)景�
5. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)器件的安全��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
3. DC-DC �(zhuǎn)換器
4. 太陽能逆變�
5. 電動(dòng)工具
6. 汽車電子系統(tǒng)
7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
這些�(yīng)用得益于其高效率、低損耗以及可靠性的特點(diǎn),可為終端產(chǎn)品帶來更�(yōu)的性能表現(xiàn)�
GA1206A1R5BBABR32G, IRF1206ZPBF, FDP1206N12ASL