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GA1206A1R5BBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 17:39:27 查看 閱讀�18

GA1206A1R5BBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以確保其在高電流和高頻�(yīng)用中的卓越表�(xiàn)。該芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�,能夠提供高效的功率�(zhuǎn)換和�(wěn)定的性能�
  這款功率 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效�。同�(shí),它還具備出色的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力,適合各種�(yán)苛的工作�(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�6A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�35nC
  開關(guān)頻率�500kHz
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA1206A1R5BBABR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)��
  3. 高度可靠的封裝設(shè)�(jì),確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行穩(wěn)定��
  4. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)多種工業(yè)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)用場(chǎng)景�
  5. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)器件的安全��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器
  4. 太陽能逆變�
  5. 電動(dòng)工具
  6. 汽車電子系統(tǒng)
  7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  這些�(yīng)用得益于其高效率、低損耗以及可靠性的特點(diǎn),可為終端產(chǎn)品帶來更�(yōu)的性能表現(xiàn)�

替代型號(hào)

GA1206A1R5BBABR32G, IRF1206ZPBF, FDP1206N12ASL

ga1206a1r5bbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.5 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-